国网江苏电力全面推广配网工程全过程数字化管控应用

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江苏原文详情：https://doi.org/10.1038/s41565-023-01326-1本文由meiweifengmaozi供稿。二、电力【成果掠影】  近日，电力广东工业大学黄少铭教授、香港科技大学罗正汤教授、香港大学Lain-JongLi教授、温州大学张礼杰教授等人联合报道了一种在低于400℃的温度下生长结晶二维材料及其异质结构的方法，该方法首先在云母(mica)或过渡金属二硫化物（TMDs）基底上实现金属碘化物(MI，其中M为In、Cd、Cu、Co、Fe、Pb、Sn和Bi)层外延生长，而后用硫族元素以低势垒能量取代碘。

而利用气相法直接生长高质量二维材料通常需要在高温下进行，全面全过这阻碍了不同二维材料在晶片上的集成。a)多层SnS2/单层WS2结构的横断面HAADF-STEM图像;b)a中白色矩形标记区域的W、推广Sn和Al的元素映射;c)原子分辨的SnS2/WS2界面的横截面HAADF-STEM图像，推广其中白色虚线表示异质界面;d)c中强度分布水平平均。由于具有低温生长能力，配网可以通过使用物理掩模对MIs的生长区域的控制实现不同的MC阵列。

  根据密度泛函理论计算，程数所涉及的MIs到MCs的替代势垒大约为0.2-0.5eV，容易被热能克服。实验还表明取代反应优先发生在MIs中的缺陷位置，字化如薄片边缘、I的空位和晶界，两步过程不会受到替代步骤的热限制。

需要注意的是，应用一些异质结构中形成的共度超晶格表明存在晶格应变，而在别处被报道的配位键可能是一个因素。

为了能观察到两步生长后的底层TMD模板，国网工程管控使用原子力显微镜（AFM）尖端滑动上层MC层，国网工程管控并显示出底层单层TMD模板的STEM图像，结果表明在MC层生长过程中，底层的TMD结构得到了很好的保存，没有引入可检测到的原子缺陷。4.打开【当贝投屏】，江苏按照提示连接手机与投影仪，完成投屏，即可在大屏上收看浙江卫视节目直播。

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